Post on 22-Jan-2016
Sistemas de electrones fuertemente Sistemas de electrones fuertemente correlacionadoscorrelacionados
en sistemas de baja dimensionalidad en sistemas de baja dimensionalidad Belén ValenzuelaBelén Valenzuela
MM. Ángeles H.. Ángeles H. Vozmediano VozmedianoFranciscFrancisco Guineao GuineaDionDionys Baeriswylys BaeriswylSimone FratiniSimone FratiniElisabeth NicolElisabeth NicolJules CarbotteJules CarbotteElena BasconesElena Bascones
Sistemas de electrones fuertemente Sistemas de electrones fuertemente correlacionadoscorrelacionados: Modelo de Hubbard: Modelo de Hubbard
Teoría de bandas’20Teoría de bandas’20 Transición de Mott’49Transición de Mott’49
Metal de banda
Aislante de banda
Aislante de Mott
Metal de Mott
Baja dimensionalidad: mayores fluctuaciones cuánticas y térmicas ymenor apantallamiento de la interacción de Coulomb
H t ci, s c j, s U n
i nii
i, j ;s
,,
,
00 )( kk
k
k ccHU
CupratosCupratos
Hubbard t-t’Hubbard t-t’
0(k) 2t(coskx cosky) 4t' coskx cos ky
sji iii
sjisjsisjsi nnUcctcctH
;, ;,,,,, '-
ARPES Bi2212
Deformación de la superficie de Fermi en el Deformación de la superficie de Fermi en el modelo de Hubbard extendidomodelo de Hubbard extendido
B.V., M.A.H. Vozmediano’01
Método: Campo medio autoconsistente: (k) 0(k) hartree 1
L2 V(q) n(k q)q
NestingPomeranchuk
Cambio en la topología
jiji
sji iii
sjisjsisjsi nnVnnUcctcctH
,;, ;,,,,, '-
Diferencia entre dopar con un Diferencia entre dopar con un electrónelectrón o o
con un huecocon un hueco
El efecto de t’ es localizar inhomogeneidades cuando dopamos al sistema con huecos
Hubbard tt’ a x=0
Hubbard a x=0
B.V, M.A.H. Vozmediano, F. Guinea’00
Non-resonant Raman scattering in electron Non-resonant Raman scattering in electron doped t-t’ Hubbard modeldoped t-t’ Hubbard model
B.V,’06
Sales de BechgaardSales de Bechgaard
El llenado es n=1/2 y El llenado es n=1/2 y la estructura del la estructura del aislante es (1010): La aislante es (1010): La teoría de bandas y el teoría de bandas y el modelo de Hubbard modelo de Hubbard predice un metal ¿?predice un metal ¿?
||/ ; ,;,
,, jiVVnnVnnUcctH ijjji
iijsji i
iisjsi
EsEsppíín para n=1/2n para n=1/2
TDee
ˆ ˆB
Método:
)()( argBG JEVEE spinech UbVaV
tJ
23
4
Resultado: separación de escalas de energía: J<<V
1 3 5
B.V, S.Fratini, D. Baeriswyl’03
Estabilidad del cristal de Wigner con respecto Estabilidad del cristal de Wigner con respecto a la generación de defectos kink-antikinksa la generación de defectos kink-antikinks
...)2/(1)2/(12/1 32 ddE
S. Fratini, B. V, D. Baeriswyl’04
M. Mayr, P. Horsch, cond-mat/0602015
Líneas de InvestigaciónLíneas de Investigación
Estructuras inhomogéneas en sistemas Estructuras inhomogéneas en sistemas Mott-Hubbard-Wigner. Mott-Hubbard-Wigner.
Deformación de la superficie de Fermi Deformación de la superficie de Fermi debida a las interacciones. Inestabilidad debida a las interacciones. Inestabilidad de Pomeranchuk.de Pomeranchuk.
Aislantes de Mott y cristal de Wigner. Aislantes de Mott y cristal de Wigner. Transición metal-aislante.Transición metal-aislante.
Conductividad óptica y respuesta Conductividad óptica y respuesta Raman en sistemas Mott-Hubbard-Raman en sistemas Mott-Hubbard-Wigner. Wigner.