Post on 22-Jun-2015
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REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELAMINISTERIO DEL PODER POPULARA PARA LA EDUCACIÓN
E.T.R “CARLOS JOSÉ MUJICA”YARITAGUA- YARACUY
Transistor BJTCURSO: Electrónica
básica
Prof. Leonardo Araujo
El transistores de unión bipolar Los inventores del primer transistor en los
Bell Laboratories fue el Doctor Williams Shockley, Doctor John Bardeen y Doctor Walter H. (1947)
ESTRUCTURA DE UN BJT
La capa del emisor se encuentra fuertemente dopada, la base ligeramente dopada y el colector solo muy poco dopado.
El transistores de unión bipolarLas capas exteriores tienen espesores
mayores que el material tipo “p” o “n” al que circundan.
El dopado de la capa central es también mucho menor que el dopado de las capas exteriores (casi siempre 10:1 ó menos)
Este nivel bajo de Dopado disminuye la conductividad (aumenta la resistencia) de este material al limitar el numero de portadores “libre”.
Simbología
Polarización
En ambos casos la unión base-emisor(BE) esta polarizada en directa y la unión base-colector(BC) polarizada en inversa. (Polarización directa-inversa)
Parámetros de un BJT.
Beta de CD (βCD). La ganancia de corriente de cd de un
transistor es el cociente de la corriente de cd del colector (IC) entre la corriente de cd de la base(IB) y se expresa como beta de cd(CD)
β CD=IC/IValores Típicos de CD van desde 20 hasta
200 o más
hFE = βCD
Parámetros de un BJT. alfa de CD (αCD).
El cociente de la corriente de cd del colector (IC) entre la corriente de cd del emisor (IE) es el alfa de cd α CD.
αCD = IC/IE
Valores Típicos van desde 0.95 hasta 0.99 o más, aunque por lo general es menor a 1.
Curva Característica