Los semiconductores intrínsecos y los semiconductores dopados
Catalogo de semiconductores
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Catálogo de semiconductores
Alumna: Rebeca Mena Flores Sección: 5-9
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Diodo Rectificador
Características• Trabajan tanto en polarización inversa
como en directa. • Diseñados especialmente para convertir
CA en CC.• Se dividen en diodos de señal y diodos
de potencia.
precio 1N4004 ¢501N4007 ¢100
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Diodo ZenerCaracterísticas• si se le aplica una corriente
del ánodo al cátodo (polarización directa) toma las características de un diodo rectificador básico, pero si se le suministra corriente de cátodo a ánodo (polarización inversa), el diodo solo dejara pasar una tensión constante.
• se comporta como un diodo convencional en condiciones de alta corriente porque cuando recibe demasiada corriente se quema.
Precio 5,6 V ¢250
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Diodo túnel Características• Se denominan también diodos
Esaki.• Poseen una zona de agotamiento
extremadamente delgada.• En la curva V-I tiene una región de
resistencia negativa.
Precio¢60 a ¢100
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Diodo LED
características• Hechos generalmente de arseniuro
de galio fosfatado (GaAsP).• Emiten una luz continua o
intermitente cuando se polarizan directamente.
• Se utilizan principalmente como indicadores y para la construcción de visualizadores.
• Bajo ciertas condiciones, pueden también actuar como detectores de luz.
Precio ¢45 a ¢250
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Fotodiodo Características• Diodo provisto de une ventana
transparente cuya corriente inversa puede ser contralada regulando la cantidad de luz que pasa por la ventana e incide sobre la unión PN.
• Son muy utilizados como sensores de luz en fotografía, sistemas de iluminación, contadores de objetos, sistemas de seguridad, receptores de comunicaciones ópticas.
Precio ¢80 a ¢100
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Transistores
Dispositivo electrónico semiconductor utilizado para producir una señal de salida en respuesta a otra señal de entrada. cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
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BJT
Características• Formado por dos uniones
PN de cristal semiconductor.• Se usan en electrónica
analógica primordialmente.• Esta formado por 3
regiones: Base, colector, emisor.• En su funcionamiento
normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa.Precio
¢ 250
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JFET (Junction Field Effect Transistor)
Características• Se basan en el campo eléctrico
para controlar a un semiconductor.• Tiene 3 terminales llamadas: Puerta, drenador y fuente.• La puerta es la equivalente a la
base en un BJT.• Los transistores de efecto de
campo o FET más conocidos son los JFET, MOSFET y MISFET.
Precio¢80 a ¢100
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MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET)
Características• Su nombre en realidad es
transistor de campo metal-óxido-semiconductor.
• Es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B).
• Existen dos tipos en función de su estructura interna: los de empobrecimiento y los de enriquecimiento.
Precio¢150 a ¢200
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Tiristores
Dispositivo semiconductor que consta de cuatro capas parecidas a las de un diodo, es decir, con estructura pn. Tiene tres uniones, una pn, otra np, y otra pn. Así también tres terminales (ánodo, cátodo, compuerta).
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SCRCaracterísticas• Esta formado por 3 uniones PN.• Su conducción entre ánodo y
cátodo es controlada por la puerta.• Es unidireccional en el caso de la
corriente.• Funciona como rectificador y
amplificador.• Es un interruptor casi ideal.• Es un amplificador eficaz.Precio
¢150 a ¢300
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TRIACCaracterísticas:• Su nombre es: tríodo para corriente
alterna.• La diferencia es que este es
bidireccional.• Su disparo se realiza aplicando una
corriente a la puerta.• Funciona como interruptor estático
o electrónico.• Los de baja potencia se utilizan
como atenuador de luz.
Precio¢1300 de 4A
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DIACCaracterísticas:• conduce cuando haya superado su
tensión de disparo.• La mayoría de los DIAC tiene una
tensión de disparo de 30 V.• Posee dos terminales el ánodo y el
cátodo.• Su uso específico (primordialmente)
es disparar los TRIACS.• Conduce en los dos sentidos de sus
terminales, o sea, bidireccional.
Precio¢60 a ¢150
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IGBTCaracterísticas:• Su nombre es transistor bipolar de
puerta aislada.• Posee las características del FET
pero en alta corriente y baja saturación del BJT.
• Usado en aplicaciones de alta y media energía en fuentes conmutadas.
• Dispositivo de conmutación en sistemas de alta tensión.
Precio¢15 a ¢150
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FIN