Cómo leer las especificaciones de memoria RAMPOR:

ERNESTO Y. SOTO

LUIS D ROCHE

Introducción

Las especificaciones de la memorias RAM se clasifican de la siguiente forma: Nombramiento de Generacion (DDRx)

DDR1

DDR2

DDR3

Velocidad (DRRx-yyyy)

DDR3-1333MHz

Generación tecnológica (PCx) y velocidad de transferencia(PCx-yyyy)

PC3-6400 (6,400 Mb/s)

Sincronizacion (Latencia)

7-7-7-18

Ejemplo de Clasificación

Formula para determiner velocidad de transferencia

Maximum Theoretical Transfer Rate = Clock x Number of bits / 8Nota: Los dims transfieren 64 bits lo que

“number of bits” sería 64 / 8 = 8.

Maximum Theoretical Transfer Rate = clock x 8.

Latencias

CL: Cas Latency: El tiempo que pasa entre un comando después de haber sido enviado a la memoria y cuando begings para responder ella. Es el tiempo que pasa entre el procesador pidiendo algunos de los datos de la memoria y luego devolverlo.

tRCD: Demora de RAS a CAS : El tiempo que pasa entre la activación de la línea (RAS) y la columna (CAS) donde los datos se almacenan en la matriz.

tRP: Precarga RAS: el tiempo que pasa entre la desactivación del acceso a una línea de datos y principios del acceso a otra línea de datos

Latencias (Cont.)

tRAS: Activo a la demora de precarga. Duración de la memoria tiene que esperar hasta el siguiente acceso a la memoria se puede iniciar

CMD: Command Rate. El tiempo que pasa entre el chip de memoria después de haber sido activado y cuando el primer comando puede ser enviado a la memoria. A veces, este valor no se ha anunciado. Por lo general es T1 (1 ciclo de reloj) o T2 (2 ciclos de reloj).

Cas Latency Nos dice cuántos ciclos de reloj de la memoria de retardo para

devolver los datos solicitados.

Demora de RAS a CAS (tRCD)

En la intersección de cada fila y columna tenemos un pequeño condensador que se encarga de almacenar los datos. El proceso de acceso a los datos del almacén se consigue por primera activación de la fila a continuación, la columna donde está ubicado. Dicha activación se realiza mediante dos señales de control llamados de RAS (Row Dirección Strobe) y CAS (Columna Dirección Strobe).

Al igual que con latencia CAS, RAS a CAS Delay funciona con el reloj de memoria real (que es la mitad del reloj de la etiqueta). Cuanto menor sea el parámetro, más rápida será la memoria será, ya que se iniciará la lectura o escritura de datos anterior.

Precarga RAS (tRP)

Después que los datos se recopilan de la memoria, un comando llamado precarga debe ser emitido, cerrando la fila de la memoria que se estaba utilizando y que permite una nueva fila para ser activado. Tiempo de precarga de RAS (PRT) es el tiempo transcurrido entre cuando el comando de precarga y el siguiente comando activo se pueden emitir.

Otros Parametros

Vamos a tomar una mejor visión de los otros dos parámetros, activas para precarga Delay (tRAS) y Command Rate(CMD).

Activo para precarga Delay (tRAS): Después y se emite el comando activo, otro comando de precarga no se puede emitir hasta que haya transcurrido tRAS. Por lo tanto, este parámetro limita cuando la memoria puede comenzar a leer (o escribir) una fila diferente.

Cambio de comandos (CMD): Es el tiempo empleado por el chip de memoria se active (a través de su CS - Chip Select - pin) y cuando ningún mandato puede emitirse a la memoria. Este parámetro lleva la letra "T" de la pizca él. Los valores posibles son 1T o 2T, es decir, un ciclo de reloj o dos ciclos de reloj, respectivamente.

Referencia

http://www.hardwaresecrets.com/article/Understanding-RAM-Timings/26

FIN