1. Diodo de unión P-N:

Dispositivo constituido mediante una unión p-n con dos terminales y cuyo objetivo, en general, será conducir corriente eléctrica en un solo sentido.

Aplicando una cantidad de voltaje se puede mover los electrones y los huecos generados en la región N y P respectivamente se crea una zona de agotamiento en la unión de ambos lados.

La polarización directa se da cuando la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad, los electrones libres del cristal n, adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unión p-n.

2. Ley de Shockley:

La diferencia de concentración de portadores en uno y otro lado da lugar a que existan corrientes de difusión de electrones para alcanzar el equilibrio termodinámico. Los electrones y huecos mayoritarios se recombinan en el lado opuesto originando una región de carga espacial en las proximidades de la unión.

Para pasar del estado apagado al de conducción, se aumenta la tensión en el diodo hasta alcanzar la tensión de conmutación, La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviesa se incremente y disminuya la tensión, hasta alcanzar un nuevo. Para volver al estado apagado, se disminuye la corriente hasta la corriente de mantenimiento. En ese instante el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todavía más la corriente, mientras aumenta la tensión en sus terminales, hasta que alcanza el nuevo equilibrio.

Estos resultados muestran que la corriente de saturación está dominada por la concentración de minoritarios en cada lado de la unión.

3. Conmutación del diodo.

Cuando la corriente de recuperación inversa disminuye, la capacitancia mantendrá su voltaje por un tiempo, el cual es aproximadamente el mismo del diodo. La resistencia por otra parte, disipará parte de la energía almacenada en la inductancia parásita.

La resistencia R se supone lo suficientemente grande como para que la diferencia de potencial entre sus extremos sea elevada comparada con la del diodo.

La tensión aplicada inversa o directamente influye en la densidad de portadores minoritarios hasta que el diodo alcanza su estado de equilibrio.