Escuela de Ingeniería Electrónica – FISE - UTP

Ing. Alberto Alvarado Rivera

Dispositivos Electrónicos Ejercicios propuestos-Juntura PN-Ecuación del diodo

Ejercicio 1 El campo electrico asociado a una union PN abrupta ideal que esta en equilibrio y a 300oK sigue la funcion representada en la figura. Se sabe que el lado P esta 100 veces mas dopado que el lado N y que la anchura total de la zona de transicion es lt= 32.4x10-6

Representese el diagrama de bandas de energia indicando los valores representativos de dicha

union cuando se polariza en inverso con V = -2v

Ejercicio 2 A 300oK se polariza la union abrupta ideal de material base de silicio de la figura con V=0.3v , se

observa que se a producido un exceso de portadores minoritarios en los bordes de la zona de

transicion con los siguientes valores (exceso de huecos=1.02.109 cm-3 y exceso de electrones

=1.02.1010cm-3) Ni=1.12.1010cm-3

a) Represente el diagrama de portadores indicando valores representativos. b) Represente el diagrama de bandas de energia c) Determine la corriente total, arrastre y difusion en X1 si la seccion de la pastilla es 10mm2

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Ing. Alberto Alvarado Rivera

Ejercicio 3 La figura representa un densidad de carga en la union semiconductora

a) Represente el campo electrico indicando valores significativos .

b) Represente el potencial indicando valores significativos tomando como referencia

V(X=0)= 0

c) Tipo y densidad volumetrica de impurezas introducidas a cada lado de la pastilla.

Ejercicio 4 El campo electrico asociado a una union PN abrupta ideal esta en equilibrio y a 300oK sigue la funcion representada en la figura

Conociendo que la diferencia de potencial entre el punto X=-3um y el punto X= Xo es de 0.7v .

Calcule el valor de Xo