EXAMEN FISICA DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

1.- Grafica la concentracin de portadores minoritarios en un transistor bipolar pnp

polarizado en el modo activo directo

2.- Define la afinidad electrnica en un semiconductor MOS

3.- Define el voltaje de pinchoff interno y voltaje de pinchoff para un pn JFET

Pinchoff es la condicin donde la regin de carga espacial en la unin de la compuerta se

extiende completamente a travs del canal de tal forma que el canal esta agotado de

portadores libres

4.- Un transistor de bipolar de Silicio npn es dopado uniformemente y polarizado en la

regin activa directa. El ancho neutral de la base es . Las concentraciones de

dopaje en el transistor son ,

y . (a)

Calcular los valores de , , y . (b) Para , determine en y

en .

5.- Un metal con una funcin de trabajo , es depositado en un semiconductor

de Silicio tipo n con y . Asumir que no existen estados en la interfaz

y que T=300K. (a) Graficar el diagrama de bandas de energa en equilibrio trmico para el

caso cuando no existe una regin de carga espacial en la unin. (b) Determinar de tal

forma que se satisface la condicin en la parte a. (c) Cual es la altura de la barrera de

potencial vista por los electrones en el metal movindose dentro del semiconductor.

6.- Considerar una estructura MOS formada por Aluminio, Dioxido de Silicio y Silicio con

. La concentracin del Silicio es y el voltaje de banda

plana es . Determine la carga fija en el oxido .

7.- Una celda solar de Silicio de con tiene una razn de

generacin ptica de con . Si la regin de carga espacial

es de , calcular la corriente de corto circuito y el voltaje a circuito abierto para esta

celda solar.

8.- Calcular el voltaje en polarizacin inversa al cual la corriente de saturacin en un diodo

de unin pn a T=300K alcanza el 90% del valor de la corriente de saturacin.