Formato Informe Previo 3 EE441N

3
Laboratorio Nº 03: EL TRANSISTOR BIPOLAR – POLARIZACIÓN, CORTE Y SATURACIÓN Ing. Virginia Romero Fuentes Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Universidad Nacional de Ingeniería Lima, Perú [email protected] [email protected] INTRODUCCIÓN Hoy en día, existen muchos dispositivos electrónicos. Entre los más usados se encuentra el BJT (Bipolar Junction Transistor) o “Transistor de Unión Bipolar” debido a que la doble circulación de la corriente debido a electrones y huecos. I. OBJETIVO El laboratorio deacuerdo a sus experimentos tiene como finalidad: Identificar las rectas de carga y punto de operación Aprender el manejo de los manuales y data sheet de los dispositivos a usar Aprender sobre las características técnicas y los requerimientos de uso del transistor. II. TEORÍA A. El Transistor BJT E s un dispositivo electrónico que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. Es muy usado como amplificador de señales. III. RESPUESTAS A PREGUNTAS d.-

description

j

Transcript of Formato Informe Previo 3 EE441N

Laboratorio N 03: EL TRANSISTOR BIPOLAR POLARIZACIN, CORTE Y SATURACINIng. Virginia Romero FuentesFacultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica, Universidad Nacional de IngenieraLima, [email protected]@yahoo.com

INTRODUCCINHoy en da, existen muchos dispositivos electrnicos. Entre los ms usados se encuentra el BJT (Bipolar Junction Transistor) o Transistor de Unin Bipolar debido a que la doble circulacin de la corriente debido a electrones y huecos.

I. OBJETIVO El laboratorio deacuerdo a sus experimentos tiene como finalidad: Identificar las rectas de carga y punto de operacin Aprender el manejo de los manuales y data sheet de los dispositivos a usar Aprender sobre las caractersticas tcnicas y los requerimientos de uso del transistor.

II. TEORA

A. El Transistor BJTEs un dispositivo electrnico que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. Es muy usado como amplificador de seales.III. RESPUESTAS A PREGUNTAS

d.-

e.- 2N2222 40V 2N3904 40Vf.- IV. EQUIPOS Y MATERIALESLos materiales a utilizar en el laboratorio son: 01 transistor NPN 2N2222 2N3904 01 protoboard 01 Resistencia de 100; 2de 1K de 1W 02 Fuente DC; puntas de prueba 01 protoboard y cables conectores 01 multmetro Resistencias:10K;15K;56K;22K;180K; 3.3K;6.2K;10K;510K;2K de 1W 01 Potencimetro lineal de 50K y 500 K 0.5W 01 Generador de funciones 02 transistores BJT iguales BC548A 02 Diodos LED 01 Osciloscopio, puntas de prueba 01 ampermetro analgico

V. DESARROLLO DE LA EXPERIENCIAA. POLARIZACIN- CURVAS DEL TRANSISTORa. Mida las resistencias y los potencimetros con el multmetro y anote los valores. b. Determine los terminales del transistor con el multmetro o use los manuales e imprima EL Data Sheet obtenida en Internet (Nota: si el multmetro tiene probador de transistores selo) c. Arme el siguiente circuito: Tenga cuidado de colocar correctamente los terminales del transistor.

d. Si usa un transistor equivalente busque en el data sheet sus caractersticas y modifique si es necesario el voltaje de entrada. e. Verifique las conexiones con el multmetro, ajuste la fuente a 12 V(DC) y conctela al circuito. f. La corriente de base (IB ) obtenida en el informe previo, la puede ajustar con el potencimetro de 500 K. La corriente de base (IB) la puede medir indirectamente con la tensin en la resistencia de 10K. La tensin de colector-emisor (VCE) la puede ajustar con el potencimetro de 50K. La corriente de colector (IC) la puede medir indirectamente con la tensin en la resistencia de 100 si solo cuenta con un ampermetro.g. Completar las tablas.

VI. SIMULACIN

VII. BIBLIOGRAFA

[1] Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky, Electroni devices and circuit theory, 10th edition.[2] Charles K. Alexander and Matthew N. O Sadiku.