INFORME N°3: PLANOS CRISTALOGRAFICOS / Laboratorio de Cristalografia
Informe de Laboratorio n#2
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INFORME DE LABORATORIO N#2 POLARIZACION POR RETROALIMENTACION Y DIVISOR DE TENSION MOSFET E ELECTRONICA II MSc. José Luis López Prado Daniel Eduardo Casillo, Franco Lastre, Wilson Menco Tec. Electrónica Industrial, Universidad De Sucre RESUMEN En este informe de laboratorio se observó y se analizó las distintas polarizaciones del mosfet incremental (MOSFET E), teniendo en cuenta la hoja de características del dispositivo, se hizo análisis de la polarización por retroalimentación y divisor de tensión tanto en la parte práctica como en la parte matemático o teórica y asi comparar los valores obtenidos. INTRODUCCION El MOSFET tipo Enriquecimiento de canal n, la corriente de drenaje (ID) es cero con niveles del voltaje de la compuerta a la fuente (VGS) menores que el nivel del voltaje umbral VGS (Th) o también llamado VT, es común saber los valores fundamentales para el análisis del mosfet como lo es el voltaje de umbral (VT) , la corriente de drenaje (ID (encendido)) y el voltaje ( VGS (encendido)), ya que están en la hoja de características o datasheet en este caso se utilizó un mosfet ( IRF640). Tabla de Características Del Mosfet VGS(on) 10V ID(on) 10mA VGS(th) 3V PROCEDIMIENTO Después de tener los datos de la hoja de características se procedió a montar el circuito propuesto por el docente en el laboratorio donde se pedia analizar y obtener los valores de (VGS, VDS, VD, VS, ID) donde se utilizaron 2 resistencias (1kῼ, 8.2Mῼ) por el arreglo de polarización por retroalimentación como se muestra en la figuras.
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INFORME DE LABORATORIO N#2POLARIZACION POR RETROALIMENTACION Y DIVISOR DE TENSION MOSFET EELECTRONICA IIMSc. Jos Luis Lpez PradoDaniel Eduardo Casillo, Franco Lastre, Wilson MencoTec. Electrnica Industrial, Universidad De Sucre
RESUMENEn este informe de laboratorio se observ y se analiz las distintas polarizaciones del mosfet incremental (MOSFET E), teniendo en cuenta la hoja de caractersticas del dispositivo, se hizo anlisis de la polarizacin por retroalimentacin y divisor de tensin tanto en la parte prctica como en la parte matemtico o terica y asi comparar los valores obtenidos.
INTRODUCCIONEl MOSFET tipo Enriquecimiento de canal n, la corriente de drenaje (ID) es cero con niveles del voltaje de la compuerta a la fuente (VGS) menores que el nivel del voltaje umbral VGS (Th) o tambin llamado VT, es comn saber los valores fundamentales para el anlisis del mosfet como lo es el voltaje de umbral (VT) , la corriente de drenaje (ID (encendido)) y el voltaje ( VGS (encendido)), ya que estn en la hoja de caractersticas o datasheet en este caso se utiliz un mosfet ( IRF640).Tabla de Caractersticas Del MosfetVGS(on) 10V
ID(on) 10mA
VGS(th) 3V
PROCEDIMIENTODespus de tener los datos de la hoja de caractersticas se procedi a montar el circuito propuesto por el docente en el laboratorio donde se pedia analizar y obtener los valores de (VGS, VDS, VD, VS, ID) donde se utilizaron 2 resistencias (1k, 8.2M) por el arreglo de polarizacin por retroalimentacin como se muestra en la figuras.
Fig.1 Arreglo por Retroalimentacin.Ya montado el circuito, que Se aliment con 20v, se procedi a medir para obtener los valores de tensin y corriente. RESULTADOS PRACTICOSValores Medido En La Prctica VGS 4.01V
VDS 4.01V
VD 4.02V
VS 0V
ID 16.4mA
Luego se mont el segundo circuito propuesto por el docente donde se pedia un arreglo de polarizacin por divisor de tensin se utilizaron resistencias de (1K, 8.2M, 1.2M) y se aliment con la misma tensin (20V) luego se hicieron las respectivas mediciones de volteje y corriente en el Mosfet.Fig.2 Arreglo Por Divisor de Tensin.RESULTADOS PRACTICOSValores Medido En La Prctica VGS 9.7V
VDS 0.015V
VD 10.1V
VS 10.1V
ID 16.22mA
CONCLUSIONConcluimos que Se debe tener en cuenta las limitaciones de Corriente y de voltaje que tiene el (MOSFET E), respetando el voltaje mximo de drenaje fuente (VDS), La corriente Mxima de drenaje (ID), El voltaje Mximo de compuerta fuente (VGS), cabe recalcar que para que circule corriente en un mosfet incremental se le suministra una tensin positiva a la compuerta, para que los huecos se acumulen en el aislante de dixido de silicio (SiO2) atrados por los electrones positivos y a medida que Alcance el valor de la tensin umbral (VGS(HT) o VT ) empieza a circular corriente de la fuente al drenaje. Se observ que los valores medidos en la prctica en comparacin con los tericos hay diferencias ya sea por el clculo de error o por el comportamiento del mosfet ya que hay componentes que pueden alterar el resultado.
