INFORME-PREVIO-7

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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA Apellidos y Nombres: Nº de Matrícula: Ochoa salcedo julio cesar 14192042 Curso: Tema: LABORATORIO DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS TRANSISTOR BIPOLAR NPN Informe: Fechas: Nota: previo Realización: Entrega: Número: 4 de junio 4 de junio 7 Grupo:6 Profesor: Número: Horario: Ing. Luis Paretto Quispe 6 jueves 2pm a 4pm

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previo pareto

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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOSFACULTAD DE INGENIERIA ELECTRNICA Y ELCTRICA

Apellidos y Nombres:N de Matrcula:

Ochoa salcedo julio cesar14192042

Curso:Tema:

LABORATORIO DISPOSITIVOS ELECTRNICOSTRANSISTOR BIPOLAR NPN

Informe:Fechas:Nota:

previoRealizacin:Entrega:

Nmero:4 de junio4 de junio

7

Grupo:6Profesor:

Nmero:Horario:Ing. Luis Paretto Quispe

6jueves2pm a 4pm

3. Determinar el punto de operacin del circuito del experimento. (Valores tericos Tablas 2, 3 y 5)DATOS:

(TABLA 2)

(TABLA 3)

De los manuales tenemos para el transistor 2SC784(NPN-Ge): *Por ser de Germanio: Hallando el punto Q:TABLA 2.Valores(R1=56K)Ic (mA)Ib (A)Vce (v.)Vbe (v.)Ve (v.)

Tericos300,2 v

TABLA 3.Valores(R1=68K)Ic (mA)Ib (A)Vce (v.)Vbe (v.)Ve (v.)

Tericos300,2

TABLA N05 Para P=100 k:Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia equivalente:

Hallando los siguientes valores:

Para P=250 k:Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia equivalente:

Hallando los siguientes valores:

Para P=500 k:Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia equivalente:

Hallando los siguientes valores:

Para P= 1M:Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia equivalente:

Hallando los siguientes valores:

P1100k250k500k1M

Ic(mA)

Ib(A)

Vce