LOS TRANSISTORES

Ingeniería de Sistemas e informática

Alumno: Junior Orlando Ramos MarcosIV CICLO

El Transistor es un componente electrónico formado por materiales semiconductores, de uso muy habitual pues lo encontramos presente en cualquiera de los aparatos de uso cotidiano como las radios, alarmas, automóviles, ordenadores, etc. Vienen a sustituir a las antiguas válvulas termoiónicas de hace unas décadas. Gracias a ellos fue posible la construcción de receptores de radio portátiles llamados comúnmente "transistores", televisores que se encendían en un par de segundos, televisores en color, etc.

LOS TRANSISTORES

El transistor, inventado en 1951, es el componente electrónico estrella, pues inició una auténtica revolución en la electrónica que ha superado cualquier previsión inicial. También se llama Transistor Bipolar o Transistor Electrónico.Antes de aparecer los transistores, los aparatos a válvulas tenían que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban más de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningún caso podían funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenían.

HISTORIA

En la imagen vemos a la derecha un transistor real y a la izquierda el símbolo usado en los circuitos electrónicos. Fíjate que siempre tienen 3 patillas y se llaman emisor, base y colector. Es muy importante saber identificar bien las 3 patillas a la hora de conectarlo. En el caso de la figura, la 1 sería el emisor, la 2 el colector y la 3 la base.

REPRESENTACIÓN

Un transistor puede tener 3 estados posibles en su trabajo dentro de un circuito:

   - En activa : deja pasar mas o menos corriente.

   - En corte: no deja pasar la corriente.

   - En saturación: deja pasar toda la corriente.

Funcionamiento del Transistor

Existen varios tipos que dependen de su proceso de construcción y de las aplicaciones a las que se destinan. Aquí abajo mostramos una tabla con los tipos de uso más frecuente y su simbología:

Tipos de transistores. Simbología

TIPOS DE TRANSISTOR A LA VENTA

TRANSISTOR 2N3019 CaracterísticasBIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80VTransistor Polarity: NPNCollector Emitter Voltage V(br)ceo: 80VTransition Frequency Typ ft: 400MHzPower Dissipation Pd: 800mWDC Collector Current: 1ADC Current Gain hFE: 300No. of Pins: 3

Transistor Bipolar de Unión (BJT)

TRANSISTOR IRF3415

CaracterísticasMOSFET, N, 150V, 43A, TO-220Transistor Polarity: N ChannelContinuous Drain Current Id: 37ADrain Source Voltage Vds: 150VOn Resistance Rds(on): 42mohmRds(on) Test Voltage Vgs: 10VThreshold Voltage Vgs Typ: 4VPower Dissipation Pd: 150WCurrent Id Max: 43ACurrent Temperature: 25°CFull Power Rating Temperature: 25°CJunction to Case Thermal Resistance A: 0.75°C/WLead Spacing: 2.54mmNo. of Transistors: 1Power Dissipation Pd: 150WPower Dissipation Pd: 150WPulse Current Idm: 150ATermination Type: Through HoleVoltage Vds Typ: 150VVoltage Vgs Max: 4VVoltage Vgs Rds on Measurement: 10V

EspecificacionesEncapsulado: TO220

Transistor de Efecto de Campo, de Metal-Óxido-Semiconductor (MOSFET)

TRANSITOR IRF250 

CaracterísticasMOSFET, N, TO-3Polaridad del transistor: Canal NContinuous Drain Current Id: 30ADrain Source Voltage Vds: 200VOn Resistance Rds(on): 85mohmRds(on) Test Voltage Vgs: 10VThreshold Voltage Vgs Typ: 4VPower Dissipation Pd: 150WTransistor Case Style: TO-3Corriente, ID máx.: 30ACurrent Temperature: 25°CMarcador: IRF250Fixing Centres: 30mmFull Power Rating Temperature: 25°CLead Spacing: 11mmN.º of Transistors: 1Package / Case: TO-3Power Dissipation Pd: 150WPower Dissipation Pd: 150WPulse Current Idm: 120ATipo de terminación: Agujero pasanteVoltage Vds Typ: 200VVoltage Vgs Max: 4VVoltage Vgs Rds on Measurement: 10V

 

EspecificacionesEncapsulado: TO-3

TRANSISTOR 2N3819

CaracterísticasTRANSISTOR, JFET, N, TO-92 Transistor Type:JFETTransistor Polarity:N Channel Breakdown Voltage Vbr:25V Zero Gate Voltage Drain Current Idss:2mA to 20mA Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:8V Power Dissipation Pd:350mW Current Idss Max:20mA Current Idss Min:2mA Current Ig:10mA Device Marking:2N3819 Drain Source Voltage Vds:25V Forward Transconductance Gfs Max:6.5mA/V Full Power Rating Temperature:25°C Gfs Min:2mA/V No. of Transistors:1 Package / Case:TO-92 Power Dissipation Ptot Max:200mW Operating Frequency Range:1MHz to 500MHz EspecificacionesEncapsulado: TO92

Transistor de Efecto de Campo, de Unión (JFET)

FOTOTRANSISTOR BPW85

CaracterísticasPHOTOTRANSISTOR, NPN, T-1Transistor Polarity: NPNWavelength Typ: 850nmPower Consumption: 100mWViewing Angle: 25°Transistor Case Style: T-1 (3mm)No. of Pins: 2Current Ic Typ: 50mAHalf Angle: 25°Operating Temperature Range: -40°C to +100°CPeak Spectral Response Wavelength: 850nmRise Time: 2µsTransistor Type: Photo

Fototransistor

TRANSISTOR BD677A

CaracterísticasDARLINGTON TRANSISTOR, TO-126Transistor Polarity:NPNCollector-to-Emitter Breakdown Voltage:60VPower Dissipation Pd:40WDC Collector Current:4ADC Current Gain hFE:750Transistor Case Style: SOT-32No. of Pins:3Av Current Ic:4ACase Style:TO-126Current Ic hFE:2ADevice Marking:BD677AFull Power Rating Temperature:25°CMax Current Ic:4AMax Current Ic Continuous a:4AMax Power Dissipation Ptot:40WMax Voltage Vce Sat:2.8VMin Hfe:750Power Dissipation:40WTermination Type:Through HoleTransistor Type:Bipolar DarlingtonVoltage Vcbo:60V

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