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Diseño de Circuitos Integrados (DCI)© Dpto Electrónica Y Electromagnetismo
Universidad de Sevilla
-- DCI DCI --DiseDiseñño de Circuitos Integradoso de Circuitos Integrados
33ºº curso de curso de I.T.I.SI.T.I.S..
PresentaciPresentacióón de n de la asignaturala asignatura
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Universidad de Sevilla
El El profesorprofesor de DCIde DCI
Diego Vázquez García de la VegaLicenciado en Ciencias Físicas (Electrónica)
Dr. en Ciencias Físicas (Electrónica)
Profesor Titular de la Universidad de Sevilla
Dpto de Electrónica y Electromagnetismo
Escuela: G0.68
IMSE-CNM-CSIC (Isla de la Cartuja)
TUTORÍAS(Cita Previa)Miércoles: 11:00h-14:00hViernes: 09:30h-12:30h
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AspectosAspectos sobresobre la la asignaturaasignatura• Es requisito necesario (aunque no suficiente)
un dominio adecuado de aspectos matemáticos.
• Planteamiento y resolución de sistemas de ecuaciones• Derivadas, integrales, etc.
• La materia del programa está diseñada con una estructura gradual.
• No son estrictamente necesarios, pero sí muy ventajosos, conocimientos previos en materia electrónica
• IMPORTANTÍSIMO:– Asistir a clase– Comprender las explicaciones (NO CALLAR!)
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AspectosAspectos sobresobre la la asignaturaasignatura
• Los problemas y prácticas de laboratorio se harán de forma integrada en las clases teóricas, mediante ejemplos de aplicación, casos prácticos, etc.
• Toda la información de la asignatura en webCT:– Programa y proyecto docente– Herramientas de trabajo– Calificaciones, etc.
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Objetivo de la asignatura:
Conocer las etapas del proceso de Diseño de CircuitosIntegrados, con especial énfasis en los circuitos digitales.
Para ello:
Nos centraremos en la tecnología MOS, la más utilizada en circuitos analógicos y digitales complejos.
Recorreremos las distintas etapas del proceso de diseño con ejemplos sencillos.
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UnaUna brevebreve visitavisita al al contenidocontenido……
• TEMA1: Introducción
– Terminología asociada a los CIs.– Evolución histórica.– Estado-del-arte de CIs.
etc
chip
yield
wafer
escaladolayout
pads
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• TEMA2: El transistor MOS
– Estructura física
– Comportamiento eléctrico
– Modelado y simulación
0 0.5 1 1.5 2 2.50
1
2
3
4
5
6x 10-4
VDS(V)
I D(A
)
VGS= 2.5 V
VGS= 2.0 V
VGS= 1.5 V
VGS= 1.0 V
ResistiveSaturation
VDS = VGS - VT
D
S
G
IDS= f(XXXX)
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• TEMA3: Proceso de fabricación
– Tecnología MOS
– Proceso fabricación
– Interfaz diseñador-fabricante
p-well n-well
p+
p-epi
SiO2
AlCu
poly
n+
SiO2
p+
gate-oxide
Tungsten
TiSi2
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• TEMA4: El inversor• TEMA5: Puertas Lógicas
– Nivel eléctrico, lógico, layout (inversor)
– Ecuaciones de diseño (inversor)
– Diseño puertas complejas
N1 N2
VG
Puertas lPuertas lóógicas gicas complejascomplejas
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• TEMA?: Estructuras de Entrada/Salida• TEMA?: Memorias (ROM, RAM, etc.)• TEMA?: Metodologías de diseño• TEMA?: xxxxxxxxxx
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PrPráácticascticas………………....
• Simulador eléctrico: PSPICE
• Herramienta de Layout: MAGIC En horas de clase y en casa
Casos prácticosTrabajo final….
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EvaluaciEvaluacióónn………………....
ALTERNATIVA• Asistencia y rendimiento en clase• Ejercicios prácticos• TRABAJO FINAL / EXAMEN FINAL
TRADICIONAL• EXAMEN FINAL