Tercera Prueba de Cátedra Electrónica de Estados Sólidos EIE-351

Profesor: Daniel Yunge Sepúlveda Nombre: Jueves 1 de Julio de 2010

Escriba cada paso del desarrollo. No se considerarán las respuestas sin desarrollo. ______________________________________________________________________________________ 1/A) Marque Verdadero o Falso para cada afirmación, justificando las respuestas falsas. 0.2 ptos cada respuesta correcta. 3 respuestas incorrectas descuentan una correcta. (2.0 ptos total)

A) Un MOSFET-N puede operar correctamente con Vgs>0: V___ F____ ___________________________________________________________________________________ B) Un JFET-P aumenta su corriente cuando la tensión Vgs aumenta:

V___ F____ ___________________________________________________________________________________ C) La ecuación de Shockley es válida para MOSFETs solo en la zona decremental:

V___ F____ ___________________________________________________________________________________

D) 0r es la resistencia mínima de un JFET: V___ F____

___________________________________________________________________________________ E) Si Vgs<Vp, el transistor está cortado, en un JFET-N: V___ F____ ___________________________________________________________________________________ F) Si -Vds>Vp, el transistor está en la zona de saturación, en un JFET-P: V___ F____ ___________________________________________________________________________________ G) Dentro de la región Ohmica, existe un valor único de tensión Vgs que entrega una corriente Id:

V___ F____ ___________________________________________________________________________________ H) La región incremental de un MOSFET-N decremental se encuentra en la región descrita por la

ecuación Id>Idss: V___ F____ ___________________________________________________________________________________ I) No circula corriente por el terminal de Gate de un transistor MOSFET, ya que está aislado:

V___ F____ ___________________________________________________________________________________ J) La curva que separa las zonas óhmica y de saturación es una recta descrita por la ecuación

Vds=|Vp| : V___ F____

___________________________________________________________________________________ 1/B) Describa el principio de funcionamiento de un transistor JFET. (1.0 punto) _____________________________________________________________________________ _____________________________________________________________________________ _____________________________________________________________________________ _____________________________________________________________________________ _____________________________________________________________________________ _____________________________________________________________________________ _____________________________________________________________________________ _____________________________________________________________________________

2) Calcular Vg1, Vs1, Vd1, Vds1, Vgs1, Id1, Vg2, Vs2, Vd2, Vds2, Vgs2, Id2, Vg3, Vs3, Vd3, Vds3, Vgs3 e Id3. Idss = 5mA y Vp=-4V para todos los transistores. (1.5 ptos)

3) Del circuito 2, calcular Vg, Vs, Vd, Vds, Vgs e Id. Idss = 10mA y Vp=-4V (1.5 ptos)