Tema 3 Respuesta en Frecuencia - Sistemas de Información ...lopez/Circuitos...
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Tema 3 1
CIRCUITOS ANALÓGICOS (SEGUNDO CURSO)
Tema 3
Respuesta en Frecuencia
Sebastián López y José Fco. López Instituto Universitario de Microelectrónica Aplicada (IUMA)
Universidad de Las Palmas de Gran Canaria 35017 - Las Palmas de Gran Canaria
Tfno. 928.451247 Fax 928.451243
e-mail: [email protected]
© LOPEZ
Tema 3 2
OBJETIVOS El presente tema es el más amplio y complejo de los que consta esta asignatura. En él se estudiarán los aspectos relativos a la introducción de elementos reactivos en el análisis de circuitos y su comportamiento con la frecuencia. En concreto, a bajas frecuencias se tendrán en cuenta los condensadores de acoplo y desacoplo presentes en los amplificadores básicos estudiados en primer curso de la ETSIT y repasados en el primer tema de esta asignatura. Para estos casos, la impedancia de cada una de estas capacidades aumenta a baja frecuencia reduciendo la ganancia total del amplificador. A altas frecuencias, la pérdida de ganancia es causada por la presencia de las capacidades internas del elemento activo. Se estudiará y representará la característica de transferencia de estos circuitos empleando modelos y técnicas aproximadas que simplificarán los cálculos. La forma de representar la función de transferencia se hará mediante los diagramas de Bode de módulo y fase, introducidos en la primera parte del tema. Los otros dos tercios del presenta tema profundizarán en el estudio de amplificadores operando a bajas frecuencias por un lado y a altas frecuencias por otro, finalizando con una serie de amplificadores multietapa que permiten mejorar la característica de los amplificadores a muy alta frecuencia. Duración: 9 horas
Tema 3 3
ÍNDICE
1. Introducción 2. Análisis en frecuencia
2.1. Función de transferencia en frecuencias 2.1.1. Polos y ceros 2.1.2. Normalización de la función de transferencia 2.1.3. Análisis del módulo de funciones de transferencia
normalizadas 2.1.4. Análisis de fase de funciones de transferencia
normalizadas 2.2. Aproximaciones Bode
2.2.1. Constantes 2.2.2. Raíces en 0 2.2.3. Raíces simples 2.2.4. Raíces complejas conjugadas
2.3. Composición del diagrama de Bode Total 3. Análisis de la respuesta a baja frecuencia
3.1. Suposiciones de baja frecuencia 3.2. El emisor común
3.2.1. Efecto del condensador de base 3.2.2. Efecto del condensador de emisor 3.2.3. Efecto del condensador de colector 3.2.4. Composición de la función de transferencia
3.3. Determinación rápida del efecto de cada condensador 3.3.1. Efecto del condensador de acoplo de la señal de
entrada 3.3.2. Efecto del condensador de desacoplo de la
resistencia de emisor 3.3.3. Efecto del condensador de acoplo de la señal de
salida 3.4. Pulsación de corte inferior
3.4.1. Polo dominante
Tema 3 4
3.4.2. Sistemas con más de un polo 4. Análisis de la respuesta a alta frecuencia
4.1. Modelo equivalente en μ del BJT 4.1.1. Frecuencia de corte de β 4.1.2. Frecuencia de ganancia unidad 4.1.3. Producto ganancia-ancho de banda
4.2. El teorema de Miller 4.3. Amplificadores monoetapa a alta frecuencia
4.3.1. El emisor común 4.3.2. El base común 4.3.3. El seguidor de emisor
4.4. Amplificadores multietapa a alta frecuencia 4.4.1. Configuración cascodo 4.4.2. Conexión EC-EC
Tema 3 5
3 dBAM
wL wH w
20log|A|
FICHA TÉCNICA
1. Introducción
Tipo de aplicación Frecuencia Audio o baja frecuencia F < 200 KHz Vídeo F < 10 MHz Radiofrecuencia F < 1 GHz Microondas F > 1 GHz
Ampl. por acoplo capacitivo: BW = wH-wL ≅ wH GW = AM·wH
A(s) = AM·FL(s)·FH(s)
Bajas frecuencias Frecuencias medias Altas frecuencias
• Efecto de capacidad de acoplo y desacoplo
• Sin efecto de capacidades
• Efecto de capac. internas del ttor.
• FH(s) ≅ 1 A(s) ≅ AM·FL(s)
• FL(s) ≅ 1 FH(s) ≅ 1 A(s) ≅ AM
• FL(s) ≅ 1 A(s) ≅ AM·FH(s)
Tema 3 6
))(())((arctg)(
))(())(()( 2
wFwFwF
wFwFwF
ℜℑ
=∠
ℑ+ℜ=
))·(.().........)·(())·(.().........)·((
)(011
011
bsbsbsbsasasasas
sFnn
nn
−−−−−−−−
=−
−
2. Análisis en frecuencia con:
Una década es la distancia entre dos frecuencias que cumplen w1/w2=10.
2.1. Funciones de transferencia en frecuencia
Polos y ceros Función
Polo de primer orden en s=s0 lim F(s)=∞ s→s0
Polo de orden n en s=s0 lim (sn-1-s0)·F(s)=∞ s→s0
Cero de primer orden en s=s0 lim F(s)=0 s→s0
Cero de orden n en s=s0 lim F(s)/(sn-1-s0)=0 s→s0
Forma factorizada
Forma normalizada
)()()( wFwFwF ∠=
⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛=
2
1logwwd
011
1
011
1
....................)(
bsbsbsbasasasasF m
mm
m
nn
nn
++++++++
= −−
−−
..)·........1)·(1.().........1)·(1·(..)·........1)·(1.().........1)·(1·(
)(101
210
20
1012
102
0
++++++++++++
=pspsspspspsps
zszsszszszszsKsF
babat
babar
Tema 3 7
Si las raíces son complejas, siempre serán complejas conjugadas 2.2. Aproximaciones de Bode • Constantes |K|dB=20log(K) ∠K=0 ∀K>0 ∠K=±π ∀K<0
• Raíces en 0 |sk|=20Klog(w) ∠sk=k·(π/2)
w
20logK
w
K<0
K>0
∠F(w)|F(w)|dB
w w
∠F(w)|F(w)|dB
20dB
1 10
K·(π/2)
Tema 3 8
1210
2
0
2 ++⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛⇒++ s
wwsbsas ξ
ab
aw
2
10
=
=
ξ
2
00
2
0
112⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛+=++⎟⎟
⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛wss
wws ξ
Raíces simples
• Raíces complejas conjugadas
con
⇓
Se estudiarán dos casos: • ξ ≥ 1 ⇒ Raíces reales negativas (ya estudiadas) • 0 < ξ < 1 ⇒ Raíces complejas conjugadas con parte real
negativa En el segundo caso, hacer ξ=1 (no es normal encontrar amplificadores con ξ muy bajo), y podremos tratar las raíces complejas conjugadas como raíces dobles, ya que:
El error que se cometerá será tanto mayor cuanto más se separe ξ de 1.
w w
∠F(w)|F(w)|dB
20dB
10·w0w0
20dB/dec
0.1·w0 w0 10·w0
π/2
π/4
( )ξξ
ξξ
p1
12
20
−
−±−= ws
Tema 3 9
3. Análisis de la respuesta a baja frecuencia 3.1. Suposiciones de frecuencia: A bajas frecuencias sólo se tendrán en cuenta los condensadores de acoplo y desacoplo, comportándose como cortocircuitos a frecuencias medias. A altas frecuencias sólo se tendrán en cuenta los condensadores internos del dispositivo activo, comportándose como abiertos a frecuencias medias. Cada elemento reactivo introduce un polo y un cero en la respuesta en frecuencia 3.2. El emisor común.
Efecto de: A(s) Polo Cero
Ci
( )
π
ππ
β
rRsCrRr
RR
Bi
B
LC
++
⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛−
1
1||
( )πrRC Bi ||1
0
CE
( ) ( )
( ) ( )π
πβ
β
rRRsC
RsCr
RRE
EE
EELC
+++
+⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛− 11
1||
( )( )[ ]βπ +1||1rRECE
EERC1
Co
( )
( )LCo
LC
RRsCr
RR
++
⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛− 11
1||
π
β
( )LC RRCo +1
0
RB1
RB2
Ci
Co
CE
RE
RC
RLVo
Vi
Tema 3 10
2)( m
LV
AjwA =
PL ww =
........22......... 12
02
12
02 −−−++= zzppL wwwww
B B' C
E
rb
rπCπ
Cμ
gmvπvπ ro
La forma de diseñar un amplificador EC con una frecuencia inferior wL es escoger el polo que introduce CE para determinar wL, y colocar los otros dos polos al menos una década por debajo del de CE. 3.3. Determinación rápida del efecto de cada condensador 3.4. Pulsación de corte inferior
Determinación de frecuencia de corte inferior
wL para sistema con un único polo o polo dominante
wL para sistema con más de un polo
4. Análisis de la respuesta a alta frecuencia
4.1. Modelo equivalente en π del BJT
rπ=β/gm
gm=IC/VT rb<< ro>>
( ) ( ) ( ) ( ) ..........22..........11
12
12
02
12
0 −−−++=
zzpp
Lwww
w
Tema 3 11
)(1
μππβ CCr
w+
=
ββwwT =
Frecuencia de corte β
Frecuencia de ganancia unidad 4.2. Teorema de Miller
4.3. Amplificadores monoetapa a alta frecuencia Configuración Polo 1 (w1) Polo 2 (w2)
EC μCRo
1 ( )[ ]( )ingom RRRgCC ||11
++ μπ
BC μCRo
1 ( )inS RRC ||1
π
CC ( )
μ
ππ
π
π
CrrgR
rgrR mE
m
S 11111++
+−+
V1 V2
Z
V1 V2
Z1 Z2
12
2
1
)11()1(
VVAAZZ
AZZ
=−=−=
Tema 3 12
4.4 Amplificadores multietapa Configuración cascodo
Vo
Vi
RB1
RB2
RB3
RC
RE
C1
C2
C3
Tema 3 13
PROBLEMAS 1. Representar el diagrama de Bode en módulo y fase de la
siguiente función:
( )( )( )11102.3104124.01040100101)( 32623
234
++×+×++×++
−= −−− sssssssssF
2. Representar el diagrama de Bode en módulo y fase de la
siguiente función:
2500753000300)( 2
2
+++
=ss
sssF
3. Representar el diagrama de Bode en módulo y fase de la
siguiente función:
1031)( 2 ++
=ss
sF
4. Representar el diagrama de Bode en módulo y fase de la
siguiente función:
( )( )sssssF
11.006.015.003.0)( 2 +++
=
Tema 3 14
5. En el amplificador en emisor común de la figura, determinar a frecuencias medias:
a) Ganancia de tensión Av=Vo/Vg en dB b) Impedancia de entrada a partir de la resistencia de fuente c) Ganancia de corriente Ai=io/ii d) Impedancia de salida
DATOS: R1=28KΩ, R2=6.8KΩ, RC=2.7KΩ, RE=820Ω, Rg=600Ω
RL=1KΩ, C1=22μF, C2=47μF, CE=100μF, rπ=4.5KΩ, β=330
Vg
Rg C1
CE
C2
R1
R2RE
RL VoVi
RC
ii
io
Tema 3 15
6. En el amplificador en colector común de la figura, determinar a frecuencias medias:
a) Ganancia de tensión Av=Vo/Vg en dB b) Impedancia de entrada a partir de la resistencia de fuente c) Ganancia de corriente Ai=io/ii d) Impedancia de salida
DATOS: R1=47KΩ, R2=120KΩ, RE=3.3KΩ, Rg=50Ω RL=1KΩ,
C1=47μF, C2=100μF, rπ=2.7KΩ, β=222
Vg
Rg C1
C2
R1
R2RE
RL Vo
Vi
iiio
Tema 3 16
7. En el amplificador en base común de la figura, determinar a frecuencias medias:
a) Ganancia de tensión Av=Vo/Vg en dB b) Impedancia de entrada a partir de la resistencia de fuente c) Ganancia de corriente Ai=io/ii d) Impedancia de salida
DATOS: R1=150KΩ, R2=39KΩ, RE=1KΩ, RC=2.7KΩ, Rg=600Ω
RL=33KΩ, C1=100μF, C2=C3=22μF, rπ=2.7KΩ, β=222
Vg
C1
C2
R1
R2RE
RL
ii
io
C3Rg
VoRC
Tema 3 17
8. En el amplificador de dos etapas con transistores bipolares de la figura siguiente, se pide, a frecuencias medias:
a) Ganancia de tensión Av=Vo/Vg en dB b) Impedancia de entrada a partir de la resistencia de fuente c) Ganancia de corriente Ai=io/ii d) Impedancia de salida
DATOS: R1=18KΩ, R2=8.2KΩ, R3=22KΩ, R4=3.3KΩ, RE1=470Ω,
RC1=1KΩ, RE2=100Ω, RC2=680Ω, Rg=600Ω RL=33KΩ, C1=C2=C3=22μF, CE=100μF, rπ=3KΩ, β=300
Vg
Rg C1
C2
R1
R2RE1
RC1
ii
CE
C3
R3
R4RE2
RL Vo
RC2
io
Tema 3 18
9. En el circuito amplificador de la siguiente figura, determinar la ganancia de tensión, impedancia de entrada y ganancia de corriente para frecuencias medias.
DATOS: R1=220KΩ, R2=12KΩ, R3=12KΩ, RC1=4.7KΩ, RC2=1.5KΩ,
RE=1KΩ, RL=10KΩ, C1=22μF, C2=42μF, rπ=1KΩ, β=100
Vg
R1
C1
RC1
ii
R2
R3
RC2
C2
RE
RL
Vo
Tema 3 19
10. Sea el amplificador en emisor común de la siguiente figura. Encontrarla resistencia de entrada, Zin, la ganancia a frecuencias medias, Am, y la frecuencia a la cual está el polo de la entrada para altas frecuencias.
DATOS: RS=5KΩ, R1=33KΩ, R2=22KΩ, RC=4.7KΩ, RE=3.9KΩ,
RL=5.6KΩ, IE=0.33mA, βo=120, fT=700MHz, Cμ=1pF
VS
RS CC1
CE
CC2
R1
R2RE
RL Vo
RC
Tema 3 20
11. Para el amplificador descrito en el problema 10, con
CC1=CC2=1μF, CE=10μF, estimar la frecuencia de corte a baja frecuencia, fL. Encontrar también la frecuencia del cero introducido por CE.
12. Para el mismo amplificador descrito en el problema 10,
diseñar los condensadores de acoplo y desacoplo para obtener una frecuencia de corte inferior de 100Hz. Diseñarlo de forma que el cero cancele el polo introducido por CC2 y que la contribución de CC1 para determinar fL sea sólo del 1%.
13. Para el amplificador de la figura, calcular CE para que la
frecuencia de corte inferior sea de valor FL=5/π Hz.
DATOS: R1=2KΩ, R2=2KΩ, RC=4KΩ, RE1=0.1KΩ, RE2=10KΩ, β=99, rπ=0.1KΩ
Vi
CE
R1
R2
RE1
RC
RE2
Vo
Tema 3 21
14. Calcular la frecuencia de corte superior del circuito de la figura.
DATOS: R1=200KΩ, R2=200KΩ, RC=1KΩ, RE= R'E=0.5KΩ, CE→∞, rπ=10KΩ, gm=100mA/V, Cπ=50pF, Cμ=1pF.
Vi
CE
R1
R2
RE
RC
R'E
Vo
Tema 3 22
15. Para el siguiente amplificador en base común, encontrar la resistencia de entrada vista desde la fuente y la ganancia a frecuencias medias. Calcular también la localización de los 2 polos y la frecuencia de corte superior.
DATOS: R1=33KΩ, R2=23KΩ, RE=3.9KΩ, RC=4.7KΩ, RL=5.6KΩ, RS=75Ω, IE=0.33mA, βo=120, fT=700MHz, Cμ=0.5μF
VS
CB
CC2
R1
R2RE
RL
CC1RS
VoRC
Tema 3 23
16. El siguiente circuito es una configuración cascodo. Calcular su ganancia a frecuencias medias, los polos a alta frecuencia y su frecuencia de corte superior.
DATOS: RS=5KΩ, R1=22KΩ, R2=11KΩ, R3=22KΩ, RE=3.9KΩ, RC=4.7KΩ, RL=5.6KΩ, IE=0.33mA, βo=120, fT=700MHz, Cμ=0.5μF
VS
CB
CC2
R1
R2
RL
VoRC
RER3
RS CC1
CE
Q2
Q1
Tema 3 24
17. Calcular la ganancia a frecuencias medias y a altas frecuencias para el siguiente circuito.
DATOS: RS=4KΩ, R1=100KΩ, R2=100KΩ, RE1=4.3KΩ, RE2=3.6KΩ, RC=4KΩ, RL=4KΩ, β =100, fT=400MHz, Cμ=2μF
VS
RS CC1
R1
R2RE1
RE2CE
RC
CC2
RL
Q1 Q2