UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP"Año de la Inversión para el Desarrollo Rural y la Seguridad Alimentaria"

TRANSISTORES

CARRERA : Ingeniería de Sistemas e Informática

CURSO : Física Electrónica

CICLO : IV

DOCENTE : Jorge Carmona Espinoza

ALUMNO : Carlos Cahuana Espinoza

Mayo del 2015

TRANSISTOREl transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.

Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario.

TRANSISTOR JFET

Es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor presentará una curva cara

TRANSISTOR MOSFET

Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas ,es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

TRANSISTOR IGBTEs adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones.Usado en aplicaciones de altas y medias energía como fuente conmutada, control de la tracción en motores y cocina de inducción.Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conducción.Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control de puerta es de unos 15 V.

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPOEl transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN. Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico. Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal semiconductor por una capa de óxido.

TRANSISTOR DE UNION BIPOLARLa denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos)

Está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha.

En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa.

El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad.