TRANSISTORESFicha Técnica

TRANSISTORES (BJT) - MATRICES DST3906DJ

Hojas de datos DST3906DJ

Envase estándar    1

Categoría Productos semiconductores discretos

Familia Transistores (BJT) - Matrices

Empaquetado    Digi-Reel®   

Tipo de transistor 2 PNP (doble)

Corriente de colector (Ic) máx. 200 mA

Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) 40 V

Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 400 mV a 5 mA, 50 mA

Corriente de corte del colector (máx.) -

Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 100 a 10 mA, 1 V

Potencia máxima 300 mW

Frecuencia - Transición 300 MHz

Tipo de montaje Montaje en superficie

Otros nombres DST3906DJ-7DIDKR

 DST3904DJ

Hojas de datos DST3904DJ

Envase estándar    10,000

Categoría Productos semiconductores discretos

Familia Transistores (BJT) - Matrices

Serie -

Empaquetado    Cinta y rollo (TR)   

Tipo de transistor 2 NPN (doble)

Corriente de colector (Ic) máx. 200 mA

Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) 40 V

Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 300 mV a 5 mA, 50 mA

Corriente de corte del colector (máx.) -

Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 100 a 10 mA, 1 V

Potencia máxima 300 mW

Frecuencia - Transición 300 MHz

Tipo de montaje Montaje en superficie

Paquete/Encapsulado SOT-963

Paquete de dispositivo de proveedor SOT-963

Otros nombres DST3904DJ-7DITRDST3904DJ7

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DE JUNTURA (JFET) 

2SK275100L Hojas de datos 2SK275100L View all Specifications

Fotos de productos SOT-23-3

Planos de catálogo Mini Pkg 3-pin

Envase estándar    3,000

Categoría Productos semiconductores discretos

Familia Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)

Corriente de drenaje (Idss) según Vds (Vgs = 0) 1.4µA a 10 V

Voltaje drenaje-fuente (Vdss) -

Consumo de corriente (Id) - Máximo 10 mA

Tipo FET Canal N

Voltaje - Ruptura (V(BR)GSS) -

Voltaje - Corte (VGS apagado) a Id 3.5 V a 1µA

Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 5 pF a 10 V

Resistencia - RDS (activado) -

Tipo de montaje Montaje en superficie

Paquete/Encapsulado TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo de proveedor Mini3-G1

Potencia máxima 200 mW

Otros nombres 2SK275100LTR

TRANSISTORES DE RF (BJT)

MMBTH10

Hojas de datos MMBTH10

Fotos de productos SOT23

Planos de catálogo SOT-23 Package TopSOT-23 Package Side 1SOT-23 Package Side 2

PCN Design/Specification Green Encapsulate 15/May/2008

Envase estándar    1

Categoría Productos semiconductores discretos

Familia Transistores de RF (BJT)

Serie -

Empaquetado    Cinta cortada (CT)   

Tipo de transistor NPN

Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.)25 V

Frecuencia - Transición 650 MHz

Cifra de ruido (dB típ. a f) -

Ganancia -

Potencia máxima 300 mW

Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 60 a 4 mA, 10 V

Corriente de colector (Ic) máx. 50 mA

Tipo de montaje Montaje en superficie

Paquete/Encapsulado TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo de proveedor SOT-23-3

Otros nombres MMBTH10-FDICT