ACTIVIDAD 6: TRABAJO COLABORATIVO N1

CARLOS ALBERTO RIBON CONTRERAS CODIGO 1065578000

ORLANDO JOSE DE ANGEL

OSCAR DANIEL FAJARDO

DELIS ANDRES MUNIVE

ELECTRONICA BASICA GRUPO: 201419_39

TUTOR JAIRO LUIS GUTIERREZ

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA 21 de Octubre 2013

INTRODUCCION

El presente trabajo tiene como finalidad poner en prctica los conocimientos adquiridos a lo largo del desarrollo de las temticas estudiadas correspondientes a la unidad 1, teniendo como apoyo el simulador Pspice student y las especificaciones de los elementos electrnicos suministrados por los manuales de fabricantes

FASE 1: LOS DIODOS 1.1 Construir en el Simulador Pspice Student 9.1 el siguiente circuito: Figura No. 1

Simular en anlisis transitorio dibujando al menos 4 periodos de la seal de 52Hz de V1, incluir pantallazo de grficas resultado de la simulacin. SOLUCION

1.2 Agregar un condensador de 630uF en paralelo con R al circuito de la figura 1 y volver a simular, anexar nueva grfica y comentar que cambio nota.

1.3 Mencione si la siguiente afirmacin es falsa o verdadera justifique su respuesta: El circuito de la figura 1 es llamado rectificador de onda completa tipo puente? VERDADERO El circuito planteado en la figura 1 es un rectificador de onda completa tipo puente debido a la polarizacin de los diodos pasa la onda, creando una seal de corriente directa o continua. 1.4 Disear un Regulador Zener que cumpla estas condiciones: Tensin de fuente Vs = 25V corriente necesitada en la carga IRL= 33mA. En este diseo se debe implementar el Diodo 1N750 (Hoja del fabricante).Completar luego de los clculos la siguiente tabla.

IZmn RSmn RSmx RS RL IS IZ PZ

15.95mA 190.82 414.708 302.76

142.4242 67.04 34.05 500mW

1.5 Construir en el Simulador PSpice Student 9.1 el Regulador Zener incluya imagen capturada desde la aplicacin mostrando los valores medidos de Voltaje y Corriente.

1.6 Describa la utilidad e incluya al menos una imagen de cada uno de los siguientes tipos de diodos. LED: Los led se usan como indicadores en muchos dispositivos y en iluminacion. Debido a sus altas frecuencias de operacin son tambin tiles en tecnologas avanzadas de comunicaciones. Los led infrarrojos tambin se usan en unidades de control remoto de muchos productos comerciales incluyendo televisores e infinidad de aplicaciones de hogar y consumo domstico.

Varactor:

El diodo Varicap conocido como diodo de capacidad variable o varactor, es un diodo que aprovecha determinadas tcnicas constructivas para comportarse, ante variaciones de la tensin aplicada, como un capacitor (o condensador) variable. Polarizado en inversa, este dispositivo electrnico presenta caractersticas que son de suma utilidad en circuitos sintonizados (L-C), donde son necesarios los cambios de capacidad. Tnel: Es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin. La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo (amplificador/oscilador). Laser: Es un dispositivo semiconductor similar a los led1 pero que bajo las condiciones adecuadas emite luz lser. Aplicaciones

Comunicaciones de datos por fibra ptica.

Lectores de CD, DVD, Blu-rays, HD DVD, entre otros.

Interconexiones pticas entre circuitos integrados.

Impresoras lser.

Escneres o digitalizadores.

Sensores.

Tratamiento con lser odontolgico.

Depilacin corporal.

Pantalla lser

Odontologa

PIN: Estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor intrnseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la prctica, la capa intrnseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad () o bien por una capa n de alta resistividad (). El diodo PIN puede ejercer, entre otras cosas, como:

Conmutador de RF

Resistencia variable

Protector de sobretensiones

fotodetector Fotodiodo:

Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad. Uso: A diferencia del LDR , el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta ms pequeo. Se usa en los lectores de CD, recuperando la informacin grabada en el

surco del Cd transformando la luz del haz lser reflejada en el mismo en impulsos elctricos para ser procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados.

Usados en fibra ptica

Schottky: Es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral (tambin conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla). 2.1 DADAS LAS FORMULAS: VCE = VC Beta = IC / IB IB= (VBB VBE) / RB PD= VCE * IC Dado el circuito Transistor BJT NPN Emisor Comn: 2.1 Completar la siguiente Tabla:

VC RC IB VB RB PD 17.3V 0.869mA 4.3V 4.945K 750mA

2.2 Mencionar las zonas de trabajo del Transistor BJT y aplicacin.

JE JC Zona de trabajo

Directa Inversa Activa

Directa Directa Saturacin

Inversa Inversa Corte

Inversa Directa Activa inversa

Zonas de funcionamiento del transistor BJT. Notar que en todo momento hablamos de polarizaciones en directa o en inversa sin referirnos al signo de la tensin aplicada a dicha unin, ya que el mismo depender del tipo de transistor npn o pnp en cuestin. 2.3 Completar con la ayuda del catlogo del fabricante la siguiente tabla

Numero de

referencia

BD136 BD137 2N2222 BC548

Tipo (Ge/Si)

Silicio Silicio Silicio Silicio

Fabricante STMICROELECTRONICS/cod 9956263/ref:BD136, NTE Electronics.inc

NTE Electronics.inc.

Fairchild semiconductor, Seme-lab, Siemens, Comset semiconductor, Semicoa semiconductor, Philips semiconductors,

Fairchild Semiconductor

NPN/PNP

PNP NPN NPN NPN

Capsula TO-126 EncapsuladoplasticoTO-126

Encapsulado de metal T018

Encapsulado plstico TO-92

Identificacin

JEDEC JEDEC JEDEC JEDEC

Terminales

3 Pins 3Pins 3Pins 3Pins

VCBO

45V 60V 60V 30V

VCEO

45V 60V 30V 30V

VEBO

5V 0.5V 5V 5V

:

ICMAX

1.5A 1A 0.8A 0.1A

PMAX

12.5W 12.5W 1.2W 0.5w

TjMax

150 150c 200C 150C

hFE

40 min 40 min 50 min 110 min

fT

140MHz 250MHz 250MHz 300 MHz

Equivalentes

BD136-6, BD138, BD140, BD227, BD231

BD-169, 2N4923 NTE123A BC556,BC557, BC558

Aplicaciones

Radio, televisin, equipos electrnicos de medicina, complementarios en amplificadores

Amplificador de audio, driver, audio, radio, televisin, equipos electrnicos de medicina, complementarios en amplificadores

Transmisores, amplificadores de HF y VHF, radiofrecuencia, aplicaciones de conmutacin

Conmutacin de uso general y la amplificacin.

Bibliografa

Modulo de electrnica bsica

Transistor Bd136 http://es.farnell.com/stmicroelectronics/bd136/transistor-pnp-sot-32/dp/9956263, http://www.farnell.com/datasheets/1689713.pdf

Transistor BC548 http://www.google.com.co/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&frm=1&source=web&cd=7&sqi=2&ved=0CEAQFjAG&url=http%3A%2F%2Fwww.ecured.cu%2Findex.php%2FTransistor_bc548&ei=jYBfUqSSH42K9QTxkYHoCQ&usg=AFQjCNE4dB_CAWrQDufl1Y78PmzO5ssjwg&sig2=wJBoJw_PD62dDXhNjZXZLQ&bvm=bv.54176721,d.eWU.

Transistor BD137 http://www.ecured.cu/index.php/Transistor_BD137, http://pdf.datasheetcatalog.net/datasheet/fairchild/BD137.pdf

Transistor 2N22222 http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/15067/PHILIPS/2N2222.html

http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/1/N/7/5/1N750.shtml