UNIVERSIDAD TECNICA DE COTOPAXI

CIENCIAS DE LA INGENIERIA Y APLICADAS

INGENIERIA ELECTROMECANICA

NOMBRE: GUAMANGALLO SANTIAGO

RRAM

• Memoria de acceso aleatorio resistiva es un tipo de memoria no volátil en desarrollo por un número de diferentes empresas, algunos de los cuales han patentado versiones de ReRAM. La tecnología tiene algunas similitudes con CBRAM y de cambio de fase de la memoria.

MECANISMOLa idea básica es que un dieléctrico, que normalmente es aislante, puede hacerse para llevar a cabo a través de un filamento o camino de conducción formada después de la aplicación de un voltaje suficientemente alto. La formación de trayectoria de conducción puede surgir de diferentes mecanismos, incluyendo defectos, la migración de metal, etc. Una vez que se forma el filamento, que se puede restablecerpor una voltaje aplicado apropiadamente. Los datos recientes sugieren que muchos caminos actuales, en lugar de un solo filamento, probablemente están involucrados

FUTURAS APLICACIONESReRAM tiene el potencial para convertirse en el favorito entre otras memorias no volátiles. En comparación con la PRAM, ReRAM opera a una escala de tiempo más rápido (tiempo de conmutación puede ser inferior a 10 ns), mientras que en comparación con la MRAM, que tiene una estructura celular más pequeño más simple (menos de pila 8F² MIM). Hay un tipo de Vertical 1D1R (uno diodo, un dispositivo de conmutación resistiva) de integración utilizado para la estructura de memoria travesaño para reducir el tamaño de celda unidad de a 4F² (F es la dimensión característica). En comparación con la memoria flash y la memoria de circuito, una de tensión inferior es suficiente y por lo tanto se puede utilizar en aplicaciones de baja potencia.

DESVENTAJAS• Una desventaja de la solución inicial de CRS es el alto

requerimiento de resistencia causada por la lectura destructiva convencional basado en las mediciones de corriente de conmutación. Un nuevo enfoque para una lectura no destructiva basada en la medición de la capacidad potencialmente reduce los requisitos tanto de resistencia material y el consumo de energía. Estructura bi-capa se utiliza para producir la no linealidad en LRS para evitar el problema del camino chivato. Capa individual dispositivo que muestra una fuerte conducción no lineal en la LRS se ha informado recientemente. Otra estructura de dos capas se introduce para ReRAM bipolar para mejorar el HRS y la estabilidad del rendimiento de resistencia de la memoria.

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